編號:	g32		  課 程 綱 要
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      一、【開課系所】: 材料所 	   學系(所)
      二、【開課年級】: 碩1 年級
      三、【修別】: 選   修
      四、【科目名稱】(中文):脈衝表面工學
		      (英文):Pulsed Plasma Surface Technologies
      五、【先修科目】:
      六、【學分數】  :上學期  3 學分,下學期   	學分
      七、【授課時數】:(正課)  3 小時,(實習)	小時
      八、【教學目的】:電漿表面技術廣泛被運用於PVD及CVD薄膜製程中，而其
                       高密度之離子轟擊效應亦見於真空表面之前製與後製處
                       理應用。脈衝表面工學則是針對現行DC及RF電漿製程在
                       大面積、絕緣薄膜應用之缺點而發展之新領域，藉由10
                       -100KHZ之脈衝電源解決，傳統DC電漿沉積之target ar-
                       cing及RF電漿沉積之低沉積率與阻抗匹配不穩定之問題
                       。本課程目的藉瞭解脈衝電源器之基本原理、電漿控制
                       技術及氧化薄膜之實作而精熟此一迅速發展之新技術。
      九、【內容綱要】:
　　　　 一、DVD表面改質技術分析
            1.DC電漿沉積技術。
            2.RF電漿沉積技術。
            3.DC/RF偏壓設計。
            4.靶面與基材Arcing之起源與因應之道。
            5.電漿蝕刻與電漿離子氮化。
         二、電源供應器之設計原理與應用
            1.DC電源之控制原理與消失陽極之困擾。
            2.RF電源與Matching Network之匹配問題。
            3.何以DC/RF不能解決大面積光學薄膜之應用問題？
         三、脈衝電源之設計
            1.脈衝頻率與間隔之選擇與特性。
            2.Unipolar與Bipolar電源器之電壓曲線變化。
            3.脈衝電源之電磁輻射干擾。
            4.脈衝電源與脈衝偏壓之匹配。
         四、脈衝技術之應用
            1.雙靶雙頻PVD沉積系統之設計。
            2.脈衝電漿表面前處理。
            3.低溫光學薄膜之製程。
            4.碳基超硬薄膜之製程。
            5.脈衝電漿後製處理－氮化與碳化。
         五、結論


      十、【其他】:(如參考書目..等)